产品特性
􀂄 CPU 配置
• 2K×13 位片内 ROM
• 80×8位片内寄存器 (SRAM)
• 8级堆栈用于子程序嵌套
• 4级可编程电压检测(LVD) : 4.5V, 4.0V, 3.3V, 2.2V
• 3级可编程电压复位(LVR) : 4.0V, 3.5V, 2.7V
• 5V/4 MHz 工作条件下耗电流低于 1.5 mA
• 3V/32kHz 工作条件下耗电流典型值为 15 μA
• 休眠模式下耗电流典型值为 2 μA
􀂄 I/O 端口配置
• 3 组双向I/O端口: P5, P6, P7
• 18 I/O 引脚
• 唤醒端口: P5
• 8 个可编程下拉I/O引脚
• 16 个可编程上拉I/O引脚
• 8 个可编程漏极开路I/O引脚
• 14 个可编程高灌I/O引脚
• 外部中断: P60
􀂄 工作电压范围:
• 2.1V~5.5V at 0°C~70°C (商规)
• 2.3V~5.5V at -40°C~85°C (工规)
􀂄 工作频率范围(基于2个时钟周期):
• 晶振模式: DC ~ 16 MHz, 4.5V;
DC ~ 8 MHz, 3V; DC ~ 4 MHz, 2.1V
• ERC模式: DC ~ 2 MHz, 2.1V;
• IRC 模式
振荡模式: 16 MHz, 4 MHz, 1 MHz, 8 MHz
偏移率
内部RC
频率 温度
(-40°C~85°C)
电压
(2.1V~5.5V) 制程 Total
4 MHz ±2% ±1% ±2% ±5%
16 MHz ±2% ±1% ±2% ±5%
8 MHz ±2% ±1% ±2% ±5%
1 MHz ±2% ±1% ±2% ±5%
􀂄 以上四个主频都可通过编程设置ICE300N仿真器的四个
校正位来校正，OTP可由义隆烧录器自动校正。
􀂄 快速启动时间，在XT模式(VDD: 5V, 晶振: 4 MHz, C1/C2:
15pF)下只需0.8ms, 在IRC模式(VDD: 5V, IRC: 4 MHz)下
只需10μs。
􀂄 • 上电电压侦测器(1.9V ± 0.2V)
• 高抗EFT特性 (4MHz及以下抗EFT性能更好)
􀂄 封装类型:
• 10-pin MSOP 118mil : EM78P372NMS10J/S
• 10-pin SSOP 150mil : EM78P372NSS10J/S
• 14-pin DIP 300mil : EM78P372ND14J/S
• 14-pin SOP 150mil : EM78P372NSO14J/S
• 16-pin SOP 150mil : EM78P372NSO16AJ/S
• 18-pin DIP 300mil : EM78P372ND18J/S
• 18-pin SOP 300mil : EM78P372NSO18J/S
• 20-pin DIP 300mil : EM78P372ND20J/S
• 20 pin SOP 300mil : EM78P372NSO20J/S
• 20 pin SSOP 209mil : EM78P372NSS20J/S
注: 绿色产品不含有害物质
孙小姐：13510586825
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