1 综述
EM78P301N是采用低功耗高速CMOS工艺设计开发的8位微控制器。该控制器有片内1KX13位一
次性编程ROM(OTP-ROM)。它提供一个保护位用以保护用户在OTP存储器内的程序不被读取，三
个代码选项以满足用户的需要.
基于增强的OTP-ROM特性，EM78P301N可方便地开发和校验用户代码，另外，使用开发与编程
工具，使此OTP代码更新更加简单和有效，用户可利用义隆烧录器很容易地烧录其开发代码.
2 产品特性
􀂄 CPU 配置
• 1K×13位片内ROM
• 80×8位片内寄存器(SRAM)
• 8-级堆栈用于子程序嵌套
• 5V/4 MHz 工作条件下耗电流低于 1.5 mA
• 3V/32kHz 工作条件下耗电流典型值为 15 μA
• 休眠模式下耗电流典型值为 2 μA
􀂄 I/O端口配置
• 3组双向I/O端口: P5, P6, P7
• 12 I/O引脚
• 唤醒端口: P5
• 8个可编程下拉I/O引脚(P50~P57)
• 10个可编程上拉I/O引脚(P50~P57, P60, P67)
• 2个可编程漏极开路I/O引脚(P60, P67)
• 8个可编程高灌I/O引脚(P50~P57, P60, P67)
• 外部中断 : P60
􀂄 工作电压范围:
• 2.1V~5.5V at 0°C~70°C (商规)
• 2.3V~5.5V at -40°C~85°C (工规)
􀂄 工作频率范围(基于2个时钟周期):
• 晶振模式: DC ~ 16 MHz, 4.5V;
DC ~ 8 MHz, 3V; DC ~ 4 MHz, 2.1V
• ERC 模式: DC ~ 2 MHz, 2.1V;
• IRC 模式
振荡模式: 16 MHz, 4 MHz, 1 MHz, 8 MHz
偏移率
内部 RC
频率温度
(-40~85°C) 电压制程 总计
4 MHz ±2% ±1% *(2.1~5.5V) ±2% ±5%
16 MHz ±2% ±1% *(4.5~5.5V) ±2% ±5%
8 MHz ±2% ±1% *(3.0~5.5V) ±2% ±5%
1 MHz ±2% ±1% *(2.1~5.5V) ±2% ±5%
*工作电压范围
􀂄 以上四个主频都可通过编程设置ICE300N仿真器的六个校
正位来校正，OTP可由义隆烧录器自动校正.
需要产品及资料可联系孙小姐：13510586825
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